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CVD化學氣相沉積裝置由升華室、反應室、氣路系統(tǒng)、和真空系統(tǒng)組成，采用智能化程序控溫系統(tǒng)，可控硅控制，控溫精度高；內置多個溫區(qū)，可以營造不同的溫度梯度。用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火等。

CVD化學氣相沉積裝置特點

  1、升華室主要包括有不銹鋼容器，不銹鋼高溫閥、壓力表、電熱合金絲發(fā)熱體、質子流量計、熱電偶、溫控裝置和保溫系統(tǒng)。主要用于對前驅體的加熱升華和調控通入反應室的氣體流量, 控溫溫度可以在100-700℃之間自由設定，由K分度號熱電偶+精密數顯程序控溫儀實現升華室溫度的自動程序升降，控溫精度：±1℃，升華室配置數量為2個。

  2、反應室主要包括不銹鋼容器、壓力表、質子流量計、電熱合金絲發(fā)熱體、熱電偶、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、保溫系統(tǒng)、載物臺。控溫溫度可以在100-900℃之間自由設定，由K分度號熱電偶+精密數顯程序控溫儀實現反應室溫度的自動程序升降，控溫精度：±1℃，反應室配置數量為1個。

  3、氣路系統(tǒng)采用∮6×1mm，316L材質不銹鋼管實現氣體的運輸、氣體流量的精確控制、減壓閥的準確快速切換以及廢氣的處理。在氣體運輸過程中，需要對管道進行加熱保溫處理，防止混合氣體在運輸過程中發(fā)生冷凝，加熱系統(tǒng)由K分度號熱電偶+智能數顯控溫儀+電熱合金絲發(fā)熱體實現氣路管道的溫度控制，控溫精度：±1℃。

  4、真空系統(tǒng)主要用于控制反應室內壓強，保證化學氣相沉積反應能在預定的壓強下進行實驗，真空度：10Pa。

CVD化學氣相沉積

化學氣相沉積反應裝置

CVD管式爐

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